MOSFET onsemi, canale N, 69 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

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Codice RS:
166-2094
Codice costruttore:
FDMC86260
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

16 A

Tensione massima drain source

150 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

Power 33

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

69 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

54 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

3.3mm

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

3.3mm

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 10 V

Altezza

0.75mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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