2 Doppio MOSFET di potenza a canale N a trincea onsemi Tipo isolato, canale N, 10 mΩ, 12 A 40 V, Power 33, Superficie

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Codice RS:
124-1389
Codice costruttore:
FDMC8030
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Doppio MOSFET di potenza a canale N a trincea

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

Power 33

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.9W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +12V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

Lead-Free and RoHS

Larghezza

3mm

Lunghezza

3mm

Altezza

750μm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET PowerTrench® Semis sono commutati di potenza ottimizzati che offrono maggiore efficienza del sistema e densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate, un piccolo recupero inverso e un diodo a corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni soft del diodo dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di protezione o di sostituire un MOSFET con una tensione nominale maggiore.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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