MOSFET Nexperia, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 136-4842
Codice costruttore:: NX3008CBKS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 136-4842
Codice costruttore:: NX3008CBKS,115
Costruttore:: Nexperia

NX3008CBKS, 30V / 30V, 350mA / 200mA N/P-channel Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	200 mA, 350 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Serie	NX3008CBKS
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,4 Ω, 4,1 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	990 mW
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.35mm
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a -4,5 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale N, P, 1,4 Ω, 4,1 Ω, 200 mA, 350 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, Nexperia

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