MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 160 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-0081
Codice costruttore:: BSS84AKS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 160 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,048 €	144,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-0081
Codice costruttore:: BSS84AKS,115
Costruttore:: Nexperia

BSS84AKS, 50V, 160mA Dual P-Channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	160 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	7,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	320 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,26 nC a 5 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 160 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio P, Nexperia

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