MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 150 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 792-0910
Codice costruttore:: BSS84AKW,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 150 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
100 - 200	0,119 €	11,90 €
300 - 500	0,115 €	11,50 €
600 - 1100	0,087 €	8,70 €
1200 - 2300	0,066 €	6,60 €
2400 +	0,062 €	6,20 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 792-0910
Codice costruttore:: BSS84AKW,115
Costruttore:: Nexperia

BSS84AKW, 50V, 150mA P-Channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	150 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	310 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	0,26 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale P, 7,5 Ω, 150 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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