MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 816-0582
Codice costruttore:: NX3008PBKW,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 816-0582
Codice costruttore:: NX3008PBKW,115
Costruttore:: Nexperia

NX3008PBKW P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	830 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,55 nC a 4,5 V
Lunghezza	2.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET Nexperia, canale P, 6,5 Ω, 200 mA, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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