MOSFET Nexperia, canale Tipo P 20 V, 200 mΩ Miglioramento, 1 A, 3 Pin, SC-70, Superficie
- Codice RS:
- 103-8120
- Codice costruttore:
- PMF170XP,115
- Costruttore:
- Nexperia
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
123,00 €
(IVA esclusa)
150,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 90.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 12.000 unità in spedizione dal 29 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,041 € | 123,00 € |
| 9000 + | 0,04 € | 120,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 103-8120
- Codice costruttore:
- PMF170XP,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | PMF170XP | |
| Tipo di package | SC-70 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.67W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie PMF170XP | ||
Tipo di package SC-70 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.67W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET a canale P, Nexperia
Transistor MOSFET, NXP Semiconductors
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 200 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie PMF170XP,115
- MOSFET Nexperia 6.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Nexperia 6.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie NX3008PBKW,115
- MOSFET Nexperia 7.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Nexperia 7.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS84AKW,115
- MOSFET Nexperia 1.6 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Nexperia 1.4 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie NX3008NBKW,115
- MOSFET Nexperia 1.6 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie BSS138PW,115
