MOSFET Nexperia, canale P, 200 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2757
Codice costruttore:: PMF170XP,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 200 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 798-2757
Codice costruttore:: PMF170XP,115
Costruttore:: Nexperia

PMF170XP, 20V, 1A P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-323
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.15V
Tensione di soglia gate minima	0.65V
Dissipazione di potenza massima	1,67 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	2,6 nC @ 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 200 mΩ, 1 A, SOT-323, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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