MOSFET Nexperia, canale N, 350 mΩ, 860 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-0612
Codice costruttore:: PMGD290XN,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 350 mΩ, 860 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 166-0612
Codice costruttore:: PMGD290XN,115
Costruttore:: Nexperia

Trans MOSFET NCH 20V 0.86A 6Pin UMT
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	860 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	350 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	410 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Carica gate tipica @ Vgs	0,72 nC a 4,5 V
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 350 mΩ, 860 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N, Nexperia

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