2 MOSFET a trincea Nexperia Duale, canale Tipo N, 13 Ω, 180 mA 30 V, TSSOP, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 170-5396
- Codice costruttore:
- NX3020NAKS,115
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 500 - 1200 | 0,064 € | 3,20 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-5396
- Codice costruttore:
- NX3020NAKS,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET a trincea | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSSOP | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET a trincea | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSSOP | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Robusta interfaccia tra i sistemi asincrono e sincrono. I flip-flop sono elementi di immagazzinamento di base per lelettronica digitale. Solamente consentendo all'uscita di passare a una transizione su edge, i flip-flop forniscono un'interfaccia robusta tra i sistemi asincroni e sincroni. Con la possibilità di scegliere tra lattivazione egde positivo o negativo, forniscono una maggiore flessibilità di progettazione.
Doppio transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N in un piccolissimo contenitore in plastica a montaggio superficiale (SMD, Surface-Mounted Device) SOT363 (SC-88) che utilizza la tecnologia MOSFET Trench.
Commutazione rapidissima
Tecnologia MOSFET Trench
Protezione ESD
Bassa tensione di soglia
Applicazioni target
Driver relè
Driver di linea ad alta velocità
Interruttore di carico low-side
Circuiti di commutazione
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