MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 9 A, 8 Pin, DFN, Superficie PMPB11EN,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2779
Codice costruttore:
PMPB11EN,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

DFN

Serie

PMPB11EN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

12.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.1mm

Altezza

0.65mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.1 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, fino a 30 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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