MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 39 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, Power 33, Superficie FDMC86102L

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

3,73 €

(IVA esclusa)

4,55 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Pochi pezzi in magazzino
  • Più 1160 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 181,865 €3,73 €
20 - 1981,61 €3,22 €
200 - 9981,39 €2,78 €
1000 - 19981,225 €2,45 €
2000 +1,115 €2,23 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9550
Codice costruttore:
FDMC86102L
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

Power 33

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati