Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 39 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, Power 33, Superficie FDMC86102L

Codice RS:: 759-9550
Codice costruttore:: FDMC86102L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 39 mΩ Miglioramento, 18 A, 8 Pin, Power 33, Superficie FDMC86102L

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200 - 998	1,705 €	3,41 €
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Codice RS:: 759-9550
Codice costruttore:: FDMC86102L
Costruttore:: onsemi

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Normative

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	Power 33
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	39mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	41W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.75mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 18A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package Power 33
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 39mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 41W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.75mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.3mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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