MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 39 mΩ Miglioramento, 6.1 A, 6 Pin, SOT-23, Superficie FDC855N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
809-0871
Codice costruttore:
FDC855N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

3mm

Larghezza

1.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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