Tipo isolato MOSFET Infineon, canale Tipo N, 33 mΩ 1.2 kV, 50 A, AG-EASY1B, Telaio, 2 Pin FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Codice RS:
- 217-7181
- Codice costruttore:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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|---|---|
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- Codice RS:
- 217-7181
- Codice costruttore:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | AG-EASY1B | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Telaio | |
| Numero pin | 2 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 33mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 5.65V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Larghezza | 33.8 mm | |
| Lunghezza | 62.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 16.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package AG-EASY1B | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Telaio | ||
Numero pin 2 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 5.65V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Larghezza 33.8 mm | ||
Lunghezza 62.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 16.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo half-bridge Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ con MOSFET CoolSiC, sensore di temperatura NTC integrato e tecnologia di contatto Pressfit
Elevata densità di corrente
Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria
Design a bassa induttività
Moduli conformi alla direttiva RoHS
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