MOSFET Infineon, canale N, 30 A, AG-EASY1B

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Codice RS:
284-811
Codice costruttore:
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

AG-EASY1B

Serie

EasyPACK

Numero pin

23

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

SiC

Il modulo MOSFET di Infineon è stato progettato per garantire prestazioni elevate, integrando la tecnologia avanzata CoolSiC Trench MOSFET per migliorare l'efficienza e la gestione termica. Questo modulo non solo eccelle nelle applicazioni ad alta densità di corrente, ma garantisce anche un design a bassa induttività, rendendolo ideale per gli ambienti industriali più esigenti. Adatto a diverse applicazioni, tra cui gli impianti fotovoltaici, questo modulo si distingue per l'affidabilità e la conformità agli standard internazionali, che riflettono la qualità e la precisione della progettazione.

Sensore NTC ad alte prestazioni per il monitoraggio termico
La tecnologia PressFIT semplifica l'installazione e aumenta la durata
La tensione di prova di isolamento garantisce l'affidabilità in condizioni estreme
La bassa resistenza di accensione massimizza l'efficienza energetica
Conforme agli standard IEC per l'affidabilità industriale
Il design robusto resiste agli ambienti più difficili

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