MOSFET Infineon, canale Tipo N, 114 mΩ 1200 V, 15 A Miglioramento, AG-EASY1B, Superficie, 8 Pin FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

75,20 €

(IVA esclusa)

91,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 175,20 €
2 - 471,44 €
5 - 968,43 €
10 - 1965,43 €
20 +62,42 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0229
Codice costruttore:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

114mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, 60749 and 60068

Standard automobilistico

AEC-Q101

Modulo sixpack MOSFET EasyPACK™ 1B da 1200 V/55 mΩ CoolSiC Infineon con MOSFET CoolSiC™ con NTC di prima generazione avanzata e tecnologia dei contatti PressFIT.

Design a bassa induttività

Basse perdite di commutazione

Robusto montaggio grazie ai morsetti di montaggio integrati

Tecnologia dei contatti PressFIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Link consigliati