MOSFET Infineon, canale N, 114 mΩ 1.2 kV, 15 A Miglioramento, AG-EASY1B, Superficie, 8 Pin FS55MR12W1M1HB11NPSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0229
Codice costruttore:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

114mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, 60749 and 60068

Standard automobilistico

AEC-Q101

Modulo sixpack MOSFET EasyPACK™ 1B da 1200 V/55 mΩ CoolSiC Infineon con MOSFET CoolSiC™ con NTC di prima generazione avanzata e tecnologia dei contatti PressFIT.

Design a bassa induttività

Basse perdite di commutazione

Robusto montaggio grazie ai morsetti di montaggio integrati

Tecnologia dei contatti PressFIT

Sensore di temperatura NTC integrato

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