MOSFET Infineon, canale Tipo N, 114 mΩ 1200 V, 15 A Miglioramento, AG-EASY1B, Superficie, 8 Pin FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

49,46 €

(IVA esclusa)

60,34 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 16 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 149,46 €
2 - 446,98 €
5 - 945,01 €
10 - 1943,03 €
20 +41,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0229
Codice costruttore:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Tipo di package

AG-EASY1B

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

114mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, 60749 and 60068

Standard automobilistico

AEC-Q101

Modulo sixpack MOSFET EasyPACK™ 1B da 1200 V/55 mΩ CoolSiC Infineon con MOSFET CoolSiC™ con NTC di prima generazione avanzata e tecnologia dei contatti PressFIT.

Design a bassa induttività

Basse perdite di commutazione

Robusto montaggio grazie ai morsetti di montaggio integrati

Tecnologia dei contatti PressFIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.