MOSFET Infineon, canale Tipo N, 34.7 mΩ 1200 V, 50 A Miglioramento, AG-EASY1B, Morsetto a vite, 23 Pin

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Codice RS:
284-821
Codice costruttore:
FF17MR12W1M1HB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

EasyDUAL

Tipo di package

AG-EASY1B

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

23

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.149μC

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Il modulo MOSFET Infineon rappresenta un significativo progresso nella tecnologia dei semiconduttori di potenza, progettato per soddisfare le rigorose esigenze delle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Questo modulo innovativo incorpora i MOSFET a trincea CoolSiC, che offrono un'efficienza e un'affidabilità senza precedenti. Con un design robusto e adatto alle applicazioni industriali, garantisce basse perdite di commutazione ed eccellenti prestazioni termiche. La tecnologia di contatto PressFIT integrata semplifica l'installazione mantenendo una connessione sicura. Questo modulo è una scelta ideale per applicazioni come i convertitori c.c./c.c. e i sistemi UPS, rivoluzionando la gestione dell'energia con la sua struttura compatta e durevole.

Il design a bassa induttività ottimizza le prestazioni dinamiche

Il sensore di temperatura integrato aumenta la sicurezza

Il montaggio robusto garantisce l'affidabilità in ambienti difficili

Qualificato per applicazioni industriali secondo gli standard IEC

Ideale per la ricarica in corrente continua dei veicoli elettrici

Installazione semplificata grazie alla tecnologia PressFIT

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