MOSFET Infineon, canale Tipo N, 34.7 mΩ 1200 V, 45 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Codice RS:
- 348-966
- Codice costruttore:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 348-966
- Codice costruttore:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Tipo di package | EasyPACK | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 5.35V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Tipo di package EasyPACK | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 5.35V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 1B CoolSiC Infineon da 1200 V e 17 mΩ con NTC, materiale di interfaccia termica preapplicato e tecnologia di contatto PressFIT. Questo MOSFET è realizzato con il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm per un'integrazione efficiente. Utilizza materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, che migliorano le prestazioni e l'efficienza energetica. Il design offre un'induttanza parassita del modulo molto bassa, riducendo le perdite di potenza e migliorando le caratteristiche di commutazione. Grazie al MOSFET Enhanced CoolSiC Gen 1, il dispositivo offre prestazioni termiche e affidabilità superiori.
Eccezionale efficienza del modulo
Vantaggi in termini di costi del sistema
Miglioramento dell'efficienza del sistema
Riduzione dei requisiti di raffreddamento
Abilitazione di una frequenza più elevata
Aumento della densità di potenza