MOSFET Infineon, canale Tipo N, 20.1 mΩ 1200 V, 75 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite FF11MR12W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
348-975
Codice costruttore:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

FF11MR12W2M1H_B70

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET a mezzo ponte EasyDUAL 2B CoolSiC Infineon combina una tecnologia all'avanguardia con un design superiore per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Grazie a un packaging di prim'ordine e a un'altezza compatta di 12,25 mm, ottimizza sia lo spazio che le prestazioni. Il modulo utilizza un materiale WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantisce una maggiore efficienza energetica, prestazioni termiche e affidabilità. La bassissima induttanza parassita del modulo riduce al minimo le perdite di potenza e migliora il comportamento di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

Migliore conduttività termica del materiale DCB

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