MOSFET Infineon, canale N, 34.7 mΩ 1.2 kV, 45 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Codice RS:
- 349-252
- Codice costruttore:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 349-252
- Codice costruttore:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 45A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | EasyPACK | |
| Serie | F4-17MR12W1M1H_B76 | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Tensione diretta Vf | 5.35V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 45A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package EasyPACK | ||
Serie F4-17MR12W1M1H_B76 | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Tensione diretta Vf 5.35V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 1B CoolSiC Infineon da 1200 V e 17 mΩ dispone di tecnologia NTC e contatto PressFIT. Questo MOSFET è stato progettato con il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm per un utilizzo efficiente dello spazio. Sfrutta i materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, che garantiscono una maggiore efficienza energetica e prestazioni migliori. Con un'induttanza parassita del modulo molto bassa, riduce al minimo la perdita di potenza e migliora la dinamica di commutazione.
Eccezionale efficienza del modulo
Vantaggi in termini di costi del sistema
Miglioramento dell'efficienza del sistema
Riduzione dei requisiti di raffreddamento
Abilitazione di una frequenza più elevata
Aumento della densità di potenza
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