MOSFET Infineon, canale Tipo N, 34.7 mΩ 1200 V, 45 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F417MR12W1M1HB76BPSA1

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Codice RS:
349-252
Codice costruttore:
F417MR12W1M1HB76BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

F4-17MR12W1M1H_B76

Tipo di package

EasyPACK

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 1B CoolSiC Infineon da 1200 V e 17 mΩ dispone di tecnologia NTC e contatto PressFIT. Questo MOSFET è stato progettato con il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm per un utilizzo efficiente dello spazio. Sfrutta i materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, che garantiscono una maggiore efficienza energetica e prestazioni migliori. Con un'induttanza parassita del modulo molto bassa, riduce al minimo la perdita di potenza e migliora la dinamica di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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