MOSFET Infineon, canale Tipo N, 17.4 mΩ 1200 V, 100 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F48MR12W2M1HPB76BPSA1

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Codice RS:
348-971
Codice costruttore:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo quadruplo MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B Infineon è stato progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni, incorporando il miglior packaging della categoria con un'altezza compatta di 12 mm per un utilizzo efficiente dello spazio. È dotato di materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che migliorano l'efficienza energetica e le prestazioni termiche. Con un'induttanza parassita molto bassa, questo modulo riduce al minimo le perdite di potenza e migliora la velocità di commutazione per un funzionamento più efficiente.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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