MOSFET Infineon, canale Tipo N, 20.1 mΩ 1200 V, 75 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F411MR12W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
349-249
Codice costruttore:
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

F4-11MR12W2M1H_B70

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 2B CoolSiC Infineon da 1200 V e 11 mΩ dispone di NTC, tecnologia di contatto PressFIT e ceramica al nitruro di alluminio. Il MOSFET è stato progettato con il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di 12,25 mm, ottimizzando lo spazio e mantenendo prestazioni eccezionali. Incorpora materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, che offrono un'efficienza e un'affidabilità superiori nelle applicazioni più esigenti. Il modulo è progettato con un'induttanza parassita molto bassa, che riduce al minimo le perdite di potenza e migliora le prestazioni di commutazione complessive.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

Migliore conduttività termica del materiale DCB

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