MOSFET Infineon, canale Tipo N, 15.1 mΩ 1200 V, 100 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F48MR12W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
348-969
Codice costruttore:
F48MR12W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

F4-8MR12W2M1H_B70

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, 60068, 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 2B CoolSiC Infineon da 1200 V e 8 mΩ dispone di NTC, tecnologia di contatto PressFIT e ceramica al nitruro di alluminio. Questo MOSFET offre il miglior packaging della categoria con un'altezza compatta di 12 mm, ottimizzando spazio e prestazioni. È dotato di materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantiscono un'efficienza e una gestione della potenza superiori. Il progetto incorpora un'induttanza parassita del modulo molto bassa, riducendo al minimo le perdite di potenza e migliorando la dinamica di commutazione. Grazie al MOSFET Enhanced CoolSiC Gen 1, il dispositivo offre prestazioni termiche e affidabilità eccellenti.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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