MOSFET Infineon, canale Tipo N, 60.2 mΩ 1200 V, 25 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite FS33MR12W1M1HB70BPSA1

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Codice RS:
348-981
Codice costruttore:
FS33MR12W1M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

CoolSiC

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo Six-Pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 1B Infineon è progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni e presenta il miglior packaging della categoria con un'altezza compatta di 12,25 mm per un'efficienza di spazio ottimizzata. Realizzato con materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, offre efficienza, prestazioni termiche e affidabilità a lungo termine superiori. Dotato di MOSFET Enhanced CoolSiC Gen 1, il dispositivo garantisce una gestione termica avanzata e un'elevata efficienza energetica in ambienti difficili.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

Migliore conduttività termica del materiale DCB

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