MOSFET Infineon, canale Tipo N, 69.4 mΩ 1200 V, 25 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite F433MR12W1M1HB76BPSA1

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Codice RS:
348-968
Codice costruttore:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

F4-17MR12W1M1HP_B76

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

69.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 1B CoolSiC Infineon da 1200 V e 33 mΩ dispone di tecnologia NTC e contatto PressFIT. Questo MOSFET presenta il miglior packaging della categoria con un'altezza compatta di 12 mm, che consente un utilizzo efficiente dello spazio senza compromettere le prestazioni. Incorpora materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantiscono una maggiore efficienza e capacità di gestione della potenza. Il progetto vanta anche un'induttanza parassita del modulo molto bassa, che riduce la perdita di potenza e ottimizza le prestazioni di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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