MOSFET Infineon, canale Tipo N, 25 mΩ 1200 V, 50 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite FS13MR12W2M1HPB11BPSA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

438,94 €

(IVA esclusa)

535,51 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 18 unità in spedizione dal 02 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +438,94 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
348-980
Codice costruttore:
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Tipo di package

EasyPACK

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

25mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo Six-Pack MOSFET EasyPACK 2B CoolSiC Infineon incorpora la tecnologia CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1, che offre prestazioni eccezionali per le applicazioni di potenza. Si presenta nel migliore pacchetto della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm, che garantisce un utilizzo efficiente dello spazio mantenendo alte le prestazioni. Il modulo utilizza materiali WBG (A banda interdetta ampia) all'avanguardia, che offrono efficienza e gestione termica superiori.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

Link consigliati