MOSFET Infineon, canale Tipo N, 21.7 mΩ 1200 V, 62.5 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite FS13MR12W2M1HC55BPSA1

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Codice RS:
348-979
Codice costruttore:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

62.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

FS13MR12W2M1H_C55

Tipo di package

EasyPACK

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo Six-Pack MOSFET EasyPACK 2B CoolSiC Infineon da 1200 V e 13 mΩ integra la tecnologia CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Alloggiato nel migliore pacchetto della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm, offre un'efficienza ottimale in termini di spazio senza sacrificare le prestazioni. Il modulo è costruito con materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantiscono efficienza, prestazioni termiche e affidabilità superiori.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

Migliore conduttività termica del materiale DCB

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