MOSFET Infineon, canale Tipo N, 23.1 mΩ 1200 V, 75 A Miglioramento, EasyPACK, Morsetto a vite FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

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Codice RS:
348-976
Codice costruttore:
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

75A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyPACK

Serie

FF11MR12W2M1HP_B11

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET a mezzo ponte EasyDUAL 2B CoolSiC Infineon è stato progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni e offre un pacchetto di altissimo livello con un'altezza compatta di 12 mm. Sfrutta un materiale WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantisce una maggiore efficienza energetica e prestazioni termiche. Il modulo è progettato con un'induttanza parassita molto bassa, che riduce al minimo le perdite di potenza e migliora la velocità di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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