MOSFET Infineon, canale Tipo N, 23.1 mΩ 1200 V, 60 A Miglioramento, Morsetto a vite F411MR12W2M1HPB76BPSA1

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Codice RS:
349-250
Codice costruttore:
F411MR12W2M1HPB76BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

F4-11MR12W2M1H_B70

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

60749, IEC 60747, 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo MOSFET G1 quadruplo EasyPACK 2B CoolSiC Infineon da 1200 V e 11 mΩ dispone di NTC, materiale di interfaccia termica preapplicato (TIM) e tecnologia di contatto PressFIT. Questo MOSFET presenta il miglior packaging della categoria, con un'altezza compatta di 12 mm, che garantisce prestazioni ottimali risparmiando spazio. Utilizza materiali a banda interdetta ampia all'avanguardia, migliorando l'efficienza energetica e la gestione termica. Il progetto vanta un'induttanza parassita del modulo molto bassa, che riduce le perdite di potenza e migliora la velocità di commutazione.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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