MOSFET Infineon, canale Tipo N, 6.32 mΩ 1200 V, 280 A Miglioramento, Morsetto a vite FF3MR12KM1HPHPSA1

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Codice RS:
349-316
Codice costruttore:
FF3MR12KM1HPHPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

280A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.59V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

60749, 60068, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il modulo a mezzo ponte MOSFET CoolSiC da 62 mm di Infineon è progettato nel noto alloggiamento da 62 mm e integra la tecnologia del chip M1H per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Questo modulo offre un'elevata densità di corrente, che lo rende ideale per i sistemi con limiti di spazio che richiedono prestazioni robuste. Grazie alle basse perdite di commutazione, garantisce una maggiore efficienza alle alte frequenze di commutazione. L'affidabilità superiore dell'ossido di gate aumenta la durata, prolungando la vita operativa del modulo in condizioni difficili.

Riduce al minimo gli sforzi di raffreddamento

Riduzione del volume e delle dimensioni

Riduzione dei costi di sistema

Design simmetrico del modulo

Tecnica di costruzione standard

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