MOSFET Infineon, canale Tipo N, 11.6 mΩ 1200 V, 150 A Miglioramento, EasyDUAL, Morsetto a vite FF6MR12W2M1HPB11BPSA1

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Codice RS:
348-978
Codice costruttore:
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyDUAL

Serie

CoolSiC Trench MOSFET

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo a mezzo ponte MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC Infineon è progettato per fornire soluzioni di potenza ad alte prestazioni con un packaging di prim'ordine, caratterizzato da un'altezza compatta di 12 mm per un utilizzo efficiente dello spazio. Il modulo incorpora materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantiscono efficienza, affidabilità e prestazioni termiche superiori. Con un'induttanza parassita del modulo molto bassa, il dispositivo garantisce perdite di potenza ridotte al minimo e una migliore dinamica di commutazione. Il modulo è alimentato dal MOSFET Enhanced CoolSiC Gen 1, che offre una gestione termica e un'efficienza migliorate, rendendolo ideale per le applicazioni di potenza più esigenti.

Eccezionale efficienza del modulo

Vantaggi in termini di costi del sistema

Miglioramento dell'efficienza del sistema

Riduzione dei requisiti di raffreddamento

Abilitazione di una frequenza più elevata

Aumento della densità di potenza

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