MOSFET Infineon, canale N, 11.6 mΩ 1.2 kV, 150 A Miglioramento, EasyDUAL, Morsetto a vite FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Codice RS:
- 348-978
- Codice costruttore:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 348-978
- Codice costruttore:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | EasyDUAL | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 5.35V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 23V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package EasyDUAL | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 5.35V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 23V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo a mezzo ponte MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC Infineon è progettato per fornire soluzioni di potenza ad alte prestazioni con un packaging di prim'ordine, caratterizzato da un'altezza compatta di 12 mm per un utilizzo efficiente dello spazio. Il modulo incorpora materiali WBG (a banda interdetta ampia) all'avanguardia, che garantiscono efficienza, affidabilità e prestazioni termiche superiori. Con un'induttanza parassita del modulo molto bassa, il dispositivo garantisce perdite di potenza ridotte al minimo e una migliore dinamica di commutazione. Il modulo è alimentato dal MOSFET Enhanced CoolSiC Gen 1, che offre una gestione termica e un'efficienza migliorate, rendendolo ideale per le applicazioni di potenza più esigenti.
Eccezionale efficienza del modulo
Vantaggi in termini di costi del sistema
Miglioramento dell'efficienza del sistema
Riduzione dei requisiti di raffreddamento
Abilitazione di una frequenza più elevata
Aumento della densità di potenza
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