MOSFET Infineon, canale Tipo N, 8.7 mΩ 1200 V, 200 A Miglioramento, EasyDUAL, Morsetto a vite FF4MR12W2M1HPB11BPSA1

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Codice RS:
349-253
Codice costruttore:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

200A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

EasyDUAL

Serie

CoolSiCTM Trench MOSFET

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo a mezzo ponte MOSFET G1 EasyDUAL 2B CoolSiC Infineon è un modulo a 1200 V con una bassa resistenza di gate di 4 mΩ ed è dotato di un sensore di temperatura NTC integrato per un preciso monitoraggio termico. Include inoltre materiale di interfaccia termica preapplicato per una migliore dissipazione del calore e utilizza la tecnologia di contatto PressFIT, che garantisce connessioni elettriche affidabili ed efficienti. Questo modulo è progettato per applicazioni ad alte prestazioni in cui l'efficienza della conversione di potenza e la gestione termica sono fondamentali.

Montaggio robusto grazie ai morsetti di montaggio integrati

Tecnologia di contatto PressFIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Materiale di interfaccia termica preapplicato

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