MOSFET Infineon, canale Tipo N, 6.32 mΩ 1200 V, 185 A Miglioramento, Morsetto a vite FF3MR12KM1HHPSA1

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Codice RS:
349-315
Codice costruttore:
FF3MR12KM1HHPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

185A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.59V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
HU
Il modulo a mezzo ponte MOSFET CoolSiC da 62 mm di Infineon è alloggiato nella nota confezione da 62 mm e combina la più recente tecnologia del chip M1H per prestazioni ottimali. Questo modulo offre un'elevata densità di corrente, che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono soluzioni compatte ma potenti. Offre basse perdite di commutazione, garantendo un funzionamento efficiente anche ad alte frequenze, e presenta un'affidabilità superiore dell'ossido di gate per una maggiore durata nel tempo.

Riduce al minimo gli sforzi di raffreddamento

Riduzione del volume e delle dimensioni

Riduzione dei costi di sistema

Design simmetrico del modulo

Tecnica di costruzione standard

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