Modulo MOSFET Infineon, canale N, 0,0113 Ω, 100 A, AG-EASY2B, Montaggio a vite

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Codice RS:
234-8960
Codice costruttore:
F411MR12W2M1B76BOMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

AG-EASY2B

Serie

F4

Tipo di montaggio

Montaggio a vite

Resistenza massima drain source

0,0113 Ω

Tensione di soglia gate massima

5.55V

Materiale del transistor

SiC

Numero di elementi per chip

4

Il modulo IGBT Infineon è dotato di un tipo FET a 4 canali N (half-bridge) che funziona con 1200 V di tensione da scarico a sorgente e 100A di corrente di scarico continua.

Montaggio su telaio
da -40°C a 150°C di temperatura di esercizio

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