MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 10 mΩ Miglioramento, 150 A, AG-EASY2B, Foro passante FF6MR20W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
351-916
Codice costruttore:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

FF6MR

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

5.35V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

12.255mm

Lunghezza

62.8mm

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Larghezza

48mm

Standard automobilistico

No

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