MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 10 mΩ Miglioramento, 150 A, AG-EASY2B, Foro passante FF6MR20W2M1HB70BPSA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

716,92 €

(IVA esclusa)

874,64 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 15 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +716,92 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-916
Codice costruttore:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

AG-EASY2B

Serie

FF6MR

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Altezza

12.255mm

Lunghezza

62.8mm

Larghezza

48 mm

Standard automobilistico

No

Il modulo a mezzo ponte Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET da 2000 V, 6 mΩ con sensore di temperatura NTC, tecnologia Press FIT Contact e ceramica al nitruro di alluminio.

Pacchetti Best in Class con altezza di 12 mm

Materiale WBG per il bordo superiore

Bassissimo valore di induttanza parassita del modulo

Perni a pressione Press FIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Ampio intervallo di tensione della sorgente del gate

Basse perdite di commutazione e conduzione

Link consigliati