MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 10 mΩ Miglioramento, 150 A, AG-EASY2B, Foro passante FF6MR20W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
351-916
Codice costruttore:
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

AG-EASY2B

Serie

FF6MR

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

62.8mm

Altezza

12.255mm

Larghezza

48 mm

Standard/Approvazioni

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Standard automobilistico

No

Il modulo a mezzo ponte Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET da 2000 V, 6 mΩ con sensore di temperatura NTC, tecnologia Press FIT Contact e ceramica al nitruro di alluminio.

Pacchetti Best in Class con altezza di 12 mm

Materiale WBG per il bordo superiore

Bassissimo valore di induttanza parassita del modulo

Perni a pressione Press FIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Ampio intervallo di tensione della sorgente del gate

Basse perdite di commutazione e conduzione

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