Tipo isolato MOSFET Infineon, canale N, 45 mΩ 1.2 kV, 25 A, AG-EASY2B, 2 Pin F445MR12W1M1B76BPSA1

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Codice RS:
234-8967
Codice costruttore:
F445MR12W1M1B76BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

AG-EASY2B

Serie

F4

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.062μC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15V

Tensione diretta Vf

5.65V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

33.8mm

Standard/Approvazioni

60749 and 60068, IEC 60747

Altezza

16.4mm

Lunghezza

62.8mm

Standard automobilistico

No

Il modulo Infineon IGBT ha un FET a 4 canali N (half bridge) che funziona con 1200V di tensione da drenaggio a sorgente e 75A di corrente di drenaggio continua.

Montaggio su telaio

da -40°C a 150°C di temperatura di esercizio

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