MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 375 A, AG-EASY2B, Foro passante F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
351-915
Codice costruttore:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Serie

F3L6MR

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

6.15V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

62.8mm

Altezza

12.255mm

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Standard automobilistico

No

Il modulo Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET a 3 livelli da 2000 V, 6 mΩ con sensore di temperatura NTC, tecnologia Press FIT Contact e ceramica al nitruro di alluminio.

Bassissimo valore di induttanza parassita del modulo

Perni a pressione Press FIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Ampio intervallo di tensione della sorgente del gate

Basse perdite di commutazione e conduzione

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