MOSFET Infineon, canale Tipo N 2000 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 375 A, AG-EASY2B, Foro passante F3L6MR20W2M1HB70BPSA1

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Codice RS:
351-915
Codice costruttore:
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

2000V

Serie

F3L6MR

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Foro passante

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

6.15V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

48 mm

Standard/Approvazioni

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Lunghezza

62.8mm

Altezza

12.255mm

Standard automobilistico

No

Il modulo Infineon Easy pack 2B CoolSiC MOSFET a 3 livelli da 2000 V, 6 mΩ con sensore di temperatura NTC, tecnologia Press FIT Contact e ceramica al nitruro di alluminio.

Bassissimo valore di induttanza parassita del modulo

Perni a pressione Press FIT

Sensore di temperatura NTC integrato

Ampio intervallo di tensione della sorgente del gate

Basse perdite di commutazione e conduzione

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