Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon, canale Canale N, 5.5 mΩ 1200 V, 160 A Miglioramento, AG-EASY2B, Morsetto a vite, 8

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Codice RS:
762-884
Codice costruttore:
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

Moduli MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

XHP 2

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

5.35V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.3μC

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

62.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo half-bridge MOSFET a canale N CoolSiC Infineon offre una corrente di drenaggio continua di 200 A. Vanta una tensione di rottura di 1200 V e supporta un montaggio robusto con morsetti integrati e tecnologia di contatto.

Basse perdite di commutazione

Densità di corrente elevata

Morsetti di montaggio integrati

Sensore di temperatura NTC

Materiale di interfaccia termica pre-applicato

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