MOSFET Infineon, canale Tipo N, 1.4 mΩ 1200 V, 100 A Miglioramento, AG-EASY2B, Morsetto a vite, 8 Pin

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Codice RS:
250-0217
Codice costruttore:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

IAUZ

Tipo di package

AG-EASY2B

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Modulo MOSFET Infineon CoolSiC EasyPACK™ 2B da 1200 V/8 mΩ a 3 livelli con MOSFET CoolSiC™ con sensore di temperatura NTC integrato di prima generazione, materiale di interfaccia termica pre-applicato e tecnologia di contatto PressFIT.

Elevata densità di corrente

Basse perdite di commutazione

Robusto montaggio grazie ai morsetti di montaggio integrati

Sensore di temperatura NTC integrato

Tecnologia dei contatti PressFIT

Materiale dell'interfaccia termica pre-applicato

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