MOSFET Infineon, canale Tipo N, 1.4 mΩ 1200 V, 100 A Miglioramento, AG-EASY2B, Morsetto a vite, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 vassoio da 18 unità*

1686,006 €

(IVA esclusa)

2056,932 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 31 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Vassoio*
18 +93,667 €1.686,01 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
250-0217
Codice costruttore:
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

AG-EASY2B

Serie

IAUZ

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Modulo MOSFET Infineon CoolSiC EasyPACK™ 2B da 1200 V/8 mΩ a 3 livelli con MOSFET CoolSiC™ con sensore di temperatura NTC integrato di prima generazione, materiale di interfaccia termica pre-applicato e tecnologia di contatto PressFIT.

Elevata densità di corrente

Basse perdite di commutazione

Robusto montaggio grazie ai morsetti di montaggio integrati

Sensore di temperatura NTC integrato

Tecnologia dei contatti PressFIT

Materiale dell'interfaccia termica pre-applicato

Link consigliati