MOSFET onsemi, canale N, 69 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 864-8221
Codice costruttore:: FDMC86260
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 69 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 864-8221
Codice costruttore:: FDMC86260
Costruttore:: onsemi

FDMC86260, N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 16A, 34mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	Power 33
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	69 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	54 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Larghezza	3.3mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 69 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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