MOSFET onsemi, canale N, 6 mΩ, 69 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

Codice RS:: 867-3255
Codice costruttore:: NTMFS4C06NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 6 mΩ, 69 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 867-3255
Codice costruttore:: NTMFS4C06NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	69 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SO-8FL
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	30,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	26 nC a 10 V
Larghezza	5.1mm
Lunghezza	6.1mm
Altezza	1.05mm
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 6 mΩ, 69 A, SO-8FL, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor

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