MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 39 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 739-4857
Codice costruttore:: FDMS86104
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 39 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità**

2,20 €

(IVA esclusa)

2,68 €

(IVA inclusa)

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 3 giorni lavorativi a partire dal 16/05/2025.*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità
1 +	2,20 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 739-4857
Codice costruttore:: FDMS86104
Costruttore:: onsemi

MOSFET N Channel 100V 7A 8 Pin MLP EP
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	39 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	73 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	11,7 nC a 10 V
Larghezza	6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 39 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Link consigliati