MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 22 mΩ Miglioramento, 37.2 A, 8 Pin, WDFN, Superficie
- Codice RS:
- 221-6749
- Codice costruttore:
- NTTFS022N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
3405,00 €
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4155,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,135 € | 3.405,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 221-6749
- Codice costruttore:
- NTTFS022N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Serie | NTTFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 71.4W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 0.8 mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 3.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Serie NTTFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 71.4W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 0.8 mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 3.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 3,3 x 3,3 mm è progettato per progetti compatti ed efficienti e migliora la perdita di conduzione.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver
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