MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 34 mΩ Miglioramento, 35 A, 8 Pin, WDFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3171,00 €

(IVA esclusa)

3870,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,057 €3.171,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
864-4752
Codice costruttore:
FDMS86200
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

6 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati