MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 12 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2095
Codice costruttore:: FDMS86252L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 12 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,822 €

(IVA esclusa)

1,003 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,822 €	2.466,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2095
Codice costruttore:: FDMS86252L
Costruttore:: onsemi

FDMS86252L, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 12A, 56mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	50 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Larghezza	5.85mm
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 12 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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