MOSFET ON Semiconductor, canale N, 35 mΩ, 40 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-3509
Codice costruttore:: FDMS86200DC
Costruttore:: onsemi

MOSFET ON Semiconductor, canale N, 35 mΩ, 40 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

2,10 €

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2,56 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	2,10 €	6.300,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-3509
Codice costruttore:: FDMS86200DC
Costruttore:: onsemi

FDMS86200DC, N-Channel Dual Cool Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 40A, 17mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	40 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	PQFN8
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5.1mm
Larghezza	5.85mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET ON Semiconductor, canale N, 35 mΩ, 40 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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