MOSFET onsemi, canale N, 34 mΩ, 35 A, PQFN8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 739-4850
Codice costruttore:: FDMS86200
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 34 mΩ, 35 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 739-4850
Codice costruttore:: FDMS86200
Costruttore:: onsemi

MOSFET N Channel 150V 8 Pin Power 56
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	35 A
Tensione massima drain source	150 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	PQFN8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	34 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6mm
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	33 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.05mm

MOSFET onsemi, canale N, 34 mΩ, 35 A, PQFN8, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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