MOSFET onsemi, canale N, 178 mΩ, 7,5 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1665
Codice costruttore:: FDMC86116LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 178 mΩ, 7,5 A, Power 33, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,387 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,387 €	1.161,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1665
Codice costruttore:: FDMC86116LZ
Costruttore:: onsemi

FDMC86116LZ, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V 7.5A 103mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,5 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	178 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	19 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	2 nC a 4,5 V, 4 nC a 10 V
Lunghezza	3.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 178 mΩ, 7,5 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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