2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 7.5 mΩ, 16 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDMC7208S
- Codice RS:
- 806-3490
- Codice costruttore:
- FDMC7208S
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
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- Codice costruttore:
- FDMC7208S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 16A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.9W | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 16A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.9W | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Progettato per ridurre al minimo le perdite nella conversione di potenza mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per garantire una bassissima resistenza RDS(on)
La tecnologia SyncFET™ usufruisce di un efficiente diodo Schottky integrato
Applicazioni: convertitori c.c.-c.c. a raddrizzamento sincrono, azionamenti per motori, interruttori low side con punto di carico su rete
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
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