2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 250 mΩ, 2.5 A 30 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Immagine rappresentativa della gamma

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

885,00 €

(IVA esclusa)

1080,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,295 €885,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
124-5405
Codice costruttore:
NTLJD4116NT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

250mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.3W

Tensione diretta Vf

0.78V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Larghezza

2 mm

Altezza

0.75mm

Lunghezza

2mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati